Module IGBT 200GB125D thyristor composant électronique de pont de puissance triphasé

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Description de Module IGBT 200GB125D thyristor composant électronique de pont de puissance triphasé

Composant Électronique de Puissance pour Commutation Industrielle

Le module semi-conducteur 200GB125D IGBT constitue une solution de premier choix pour l'assemblage et la réparation de ponts de puissance et de redresseurs pilotés. Ce composant électronique combine astucieusement les caractéristiques de commande d'un transistor bipolaire à grille isolée avec les capacités de conduction élevées d'un thyristor traditionnel. Cette synergie technique permet de gérer des flux de courant alternatifs et continus avec une flexibilité logicielle totale.

Performance d'un Semi-conducteur de Nouvelle Génération

Grâce à une impédance d'entrée élevée, ce module requiert une énergie de commande minimale pour piloter de fortes puissances. L'avantage utilisateur se traduit par une simplification des circuits de commande périphériques, réduisant l'encombrement global de vos circuits imprimés de puissance. Que ce soit pour des applications de traction électrique ou de contrôle de moteurs asynchrones, ce module assure une modulation de largeur d'impulsion propre et performante.

Spécification techniqueDétails de performance
Code d'identification200GB125D IGBT
Technologie de puceTranchée d'arrêt de champ à haut rendement
Application typeOnduleur de fréquence, hacheur de puissance
Fixation mécaniqueMontage par vis traversantes sur plaque de refroidissement

Détails

OPC s7_EB0GCRF7G79
Référence produit s7_EB0GCRF7G79
Marque
Prix 49,99 €
Prix habituel 208,00 €
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Note 4.5 / 5.0
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5/5
J. Mclachlan
Publié le 16/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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